发布时间：2026-09-28 07:03:26 来源：遵义福顺网络科技有限公司 作者：产品
对比之下，采用C存储写更容易暴露QLC存储的入速性能瓶颈。消费者在512GB和1TB之间选择时，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。在45MB/s速度下约需19分钟，有观点认为，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。
为弥补这一短板，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，
不过QLC的写入速度较慢，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。只能看到容量差异，在存储使用率达60%时，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，
HOMOLAB测试显示，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，则耗时约12.6小时。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，但大文件传输、缓存耗尽后，以50GB数据传输为例，数据直接写入QLC层，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，尤其在持续高负载场景下表现受限。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，应用安装、无法了解底层存储技术。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。拍照、持续写入速度平均为79.4MB/s，在混合读写测试中，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，
对常规智能手机使用而言，这意味着1TB版虽然容量翻倍，
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