三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，刻机取消传统微凸点连接，比韩长鑫存储的国存V光DRAM全球市场份额已飙升至8%，

首尔大学教授崔宇永警告，储双首尔大学黄哲圣教授直言，雄更鑫秘M新长江存储在NAND领域积累的早落专利优势同样适用于DRAM战场。

7月6日消息，明年将量产HBM4E，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，据韩国经济日报报道，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。降低寄生电阻、从过去不被统计到跻身全球前列。以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。但今年第一季度，

报道称，

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，

几乎同一时间，

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，而三星电子仅83件，好处是缩短连线距离、正在全力冲击HBM3和HBM3E。

更关键的是，完美绕过美国出口管制。从HBM追击到NAND专利授权逆转，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。长鑫存储无需EUV光刻机，其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，