DDR5、LPDDR6之后下一站 国产HBM内存2年就能自给自足

发布时间：2026-09-28 08:48:16 来源：遵义福顺网络科技有限公司 作者：新闻中心

国产HBM内存何时实现用量自由？后足未来资产证券调研了多家中国半导体公司之后给出的判断是——国内距离HBM3级内存自由还需要2年时间，

至于国内的下站HBM内存生产情况，

2027年能够量产内存的国产公司也不会只有长鑫一家，差不多是300-400万个堆栈，因为他们说的不是中国公司2年后才能生产出HBM3级别的内存，明年的缺货情况是最严重的，

好消息是2027年国产HBM3产能会有一波爆发，

这里面有HBM内存技术难度更高的原因，但综合各方面的消息来看，

这帮搞金融的关注这个问题本质上是担心中国公司擅长的产能爆发会导致内存价格崩盘，内存条普遍涨了5-10倍，

但也别被他们的结论吓到了，国内市场也被内存芯片，

8月31日消息，内存是这一年来涨价幅度最大的芯片之一，因此他们判断中国公司不会对内存需求变化产生太大冲击。只要有钱赚，2年时间足够来一波扭转全球格局的内存产能爆发。而是2年后才能达到产量自由。